PW2319芯片P沟道增强型MOSFET
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70mΩ@VGS=-10V
提供3针SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性
非常感谢用户kuakewei 的投稿！
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