PW2319芯片参数
时间:2021-02-25 16:17:51来源: 作者: 点击:次
一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（开）<70m&Om
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征 VDS=-40V，ID=-5A RDS（开）<70m&Om
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
- VDS=-40V，ID=-5A
- RDS（开）<70mΩ@VGS=-10V
- 提供3针SOT23-3封装
应用
- 电池保护
- 负荷开关
- 不间断电源
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性
容－源－电－子－网－为你提供技术支持
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PW2319芯片P沟道增强型MOSFET
一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
关键词： 所属栏目：元器件知识
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