转：IGBT管损坏的解决对策

(1)过电流损坏
　　
　　避免IGBT管发生锁定效应而损坏，在电路设计中应保证IGBT管的最大工作电流不超过IGBT管的IDM值，注意可适当加大驱动电阻RG来延长关断时间，减小IGBT管的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT管的锁定效应，驱动电压低，承受过电流时间长。IGBT管加负偏压，IGBT管生产厂家推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压的下，驱动正电压在10～15V。IGBT管发射极的电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，IGBT管设有驱动负偏压。
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　　负载冲击特性各不，且供电的设备发生电源短路故障，在设计中采取限流措施进行IGBT管的电流限制也是必需的，可考虑采用IGBT管厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840以及三菱公司的M57959AL、M57962CL，对IGBT管的集电极电压进行检测，IGBT管发生过电流，则由内部电路关断驱动信号。这种办法有时还是不能保护IGBT管，IR公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降UCE。UCE超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT管由饱和转入放大区，通态电阻增大，短路电流下降，4μs连续检测通态压降UCEO，正常，将驱动电压恢复正常；未恢复，将驱动信号关断，使集电极电流减为零。这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT管。 <<版权声明：本文由容源电子网（www.dziuu.com）整理提供，部分内容来源于网络，如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

　　(2)过电压损坏
　　
　　防止过电压损坏的方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感；适当IGBT管的驱动电阻RG，使开关速度减慢（但开关损耗也了）；设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管是快恢复二极管，电容是损耗小、频率特性好的高频薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。电路有耗能式和回馈式，回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选器件的技术手册。 <<版权声明：本文由容源电子网（www.dziuu.com）整理提供，部分内容来源于网络，如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

　　IGBT管的UGE的保证值为+20V，若超出保证值，将会导致IGBT管损坏，因而在栅极和发射极的电压不能超出保证值。此外，在栅极和发射极开路时，若在集电极和发射极间加上电压，随着集电极电位的变化，有漏电流(i)流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。集电极和发射极处于高电压，使芯片发热而损坏。 <<版权声明：本文由容源电子网（www.dziuu.com）整理提供，部分内容来源于网络，如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》