介绍双极型晶体管参数符号及其意义

二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc——-集电极电容
Ccb——-集电极与基极间电容
Cce——-发射极接地输出电容
Ci——-输入电容
Cib——-共基极输入电容
Cie——-共发射极输入电容
Cies——-共发射极短路输入电容
Cieo——-共发射极开路输入电容
Cn——-中和电容（外电路参数）
Co——-输出电容
Cob——-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe——-共发射极输出电容
Coeo——-共发射极开路输出电容
Cre——-共发射极反馈电容
Cic——-集电结势垒电容
CL——-负载电容（外电路参数）
Cp——-并联电容（外电路参数）
BVcbo——-发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo——-基极开路，CE结击穿电压
BVebo——- 集电极开路EB结击穿电压
BVces——-基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer——-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D——-占空比
fT——-特征频率
fmax——-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE——-共发射极静态电流放大系数
hIE——-共发射极静态输入阻抗
hOE——-共发射极静态输出电导
h RE——-共发射极静态电压反馈系数
hie——-共发射极小信号短路输入阻抗
hre——-共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe——-共发射极小信号短路电压放大系数
hoe——-共发射极小信号开路输出导纳
IB——-基极直流电流或交流电流的平均值
Ic——-集电极直流电流或交流电流的平均值
IE——-发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo——-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo——-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo——-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer——-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices——-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex——-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM——-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM——-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP——-集电极最大允许脉冲电流
ISB——-二次击穿电流
IAGC——-正向自动控制电流
Pc——-集电极耗散功率
PCM——-集电极最大允许耗散功率
Pi——-输入功率
Po——-输出功率
Posc——-振荡功率
Pn——-噪声功率
Ptot——-总耗散功率
ESB——-二次击穿能量
rbb——-基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbbCc——-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie——-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe——-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE——-外接发射极电阻（外电路参数）
RB——-外接基极电阻（外电路参数）
Rc ——-外接集电极电阻（外电路参数）
RBE——-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL——-负载电阻（外电路参数）
RG——-信号源内阻
Rth——-热阻
Ta——-环境温度
Tc——-管壳温度
Ts——-结温
Tjm——-最大允许结温
Tstg——-贮存温度
td————延迟时间
tr——-上升时间
ts——-存贮时间
tf——-下降时间
ton——-开通时间
toff——-关断时间
VCB——-集电极-基极（直流）电压
VCE——-集电极-发射极（直流）电压
VBE——-基极发射极（直流）电压
VCBO——-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO——-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO——-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER——-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES——-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX——-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp——-穿通电压。
VSB——-二次击穿电压
VBB——-基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc——-集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE——-发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)——-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)——-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC——-正向自动增益控制电压
Vn(p-p)——-输入端等效噪声电压峰值
V n——-噪声电压
Cj——-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv——-偏压结电容
Co——-零偏压电容
Cjo——-零偏压结电容
Cjo/Cjn——-结电容变化
Cs——-管壳电容或封装电容
Ct——-总电容
CTV——-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC——-电容温度系数
Cvn——-标称电容
IF——-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）——-正向平均电流
IFM（IM）——-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限
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