可编程的输出口的驱动器的最简单是的并联的一对驱动器,他们的MOS的Rdson不能,能输出的电流能力也不。我们在测试和使用的时候可以选择不同的模式。上目前的单片机至少有两种模式可选择,有些甚至可以有三种(强,中等,弱)当时序约束有足够的余量的时候,通过降低输出能力来减缓内部时钟驱动的边沿。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
减少同步开关的峰值电流,和di/dt,一个重要的考虑因素降低内部时钟驱动的能力(其实放大倍数,穿通电流与之相关型很大)。降低时钟边沿的电流,将显着改善EMI。当然这样做的缺点,时钟和负载的开通时间的变长使得单片机的平均电流。快速边沿和较高的峰值电流,时间更长边沿较慢的电流脉冲这两者做一个妥协。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
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晶振的内部驱动(反向器)最好不要超过的。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
问题,上前面也谈过了,当增益过大的时候会带来更大的干扰。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
设计最小穿通电流的驱动器时钟,总线和输出驱动器应尽使得传统电流最小穿通电流【重叠电流,短路电流】,是从单片机在切换过程中,PMOS和NMOS导通时候,电源到地线的电流,穿通电流直接影响了EMI和功耗。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
内容上是在单片机内部的,时钟,总线和输出驱动器,消除或减少穿通电流的方法是尽量先关闭一个FET,然后再开通一个FET。当电流较大时,额外的预驱动电路或电压摆率。 <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》
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