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TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片

时间:2023-08-01 11:24:37来源: 作者: 点击:
概述
TDM3478使用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
概述
TDM3478使用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般说明
RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON)< 6mΩ @ VGS=10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
表面安装包
无铅和绿色设备可用(RoHS兼容)

应用
PWM应用程序
负载交换机
电源管理
供电系统
TDM3478-1TDM3478-2TDM3478-3容-源-电-子-网-为你提供技术支持

非常感谢用户BSDZ123 的投稿!

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