MOS管为什么可以防止电源反接

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晶振又称石英晶体振荡器，晶振是一种利用应时晶体(石英晶体)的压电效应制成的谐振器件。

晶振是指从应时晶体上按一定方位切割下来的薄片，是时钟电路中最重要的元件。晶振的工作原理是在一定状态下，机械能和电能可以通过内部振荡电路相互转换。
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概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
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兆科电子的热管理材料能够很好地解决电磁炉电路板和线圈盘等发热元器件在复杂环境的可靠性和电磁兼容性问题。鉴于电磁炉对导热材料的高导热需求，兆科主要推荐的材料是导热硅胶片和导热硅脂产品来解决散热方案。
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DC-DC升压电路在电子电路中是很常见的，无论是匹配不同器件的工作电压需要还是为了提高足够的输出功率，都必须用到升压电路。特别是便携式的电子产品，电源是电池供电，如单
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针对升压值13V以下的DC-DC升压应用需求，推广一款集成10A开关管的12.8V输出、大电流非同步DC-DC升压IC：HT7180。HT7180采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺制程，基于SOP8封装，工作效率高达90%以上，无需外加散热器，3.7V输入升压到12V，可稳定输出2A电流。
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深圳市永阜康科技有限公司针对大功率的DC-DC升压应用需求，推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺，重载时高达93%以上的工作效率，无需外加散热器，升压到26.8V，可稳定输出120W。
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Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

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三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
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在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
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一般正规厂商生产的电子元器件都会在元器件的空白处标明厂家、元器件编号和生产日期等信息。
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金属探测器电路图 金属探测器可应用很多领域，当然，金属探测器根据工作原理的不同，也可以分为很多种的类型电路，今天我们主要介绍的是用集成电路555制作的金属探测器，由
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一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般说明
PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（开）<650m
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一般说明
PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）<180m&Om
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一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
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场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
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国内命名方法：3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 2：表示二极管；3：表示三极管；



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电子行业对环境造成了影响，从正面来看，在照明、电机控制、传感器和其他众多应用当中增加电子元器件的使用大幅提高了能效，以及对环境进行监测和控制的能力。而从负面来看，电子产品的普及导致垃圾填埋场充斥着大量电子垃圾，并且向我们的环境排放有害物质。人们已经对该行业内的多种理念和趋势进行了探索。
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以前商铺的专业性应该是一项要考虑的因素，当我们走过电子专业商铺时，如果发现玻璃柜中各种各样的电路板或者各种形状的电阻接头时，我们可以安心地走进去购买电路板或者按
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