MOS管的基本参数(图文)

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概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
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DC-DC升压电路在电子电路中是很常见的，无论是匹配不同器件的工作电压需要还是为了提高足够的输出功率，都必须用到升压电路。特别是便携式的电子产品，电源是电池供电，如单
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针对升压值13V以下的DC-DC升压应用需求，推广一款集成10A开关管的12.8V输出、大电流非同步DC-DC升压IC：HT7180。HT7180采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺制程，基于SOP8封装，工作效率高达90%以上，无需外加散热器，3.7V输入升压到12V，可稳定输出2A电流。
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深圳市永阜康科技有限公司针对大功率的DC-DC升压应用需求，推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺，重载时高达93%以上的工作效率，无需外加散热器，升压到26.8V，可稳定输出120W。
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Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

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三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
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在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
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一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般说明
PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（开）<650m
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一般说明
PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）<180m&Om
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一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
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　　此电路图是用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用型号为2SJ77的MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。其工作电流为6mA，但电源电压较高（±50V），晶体管会发热，因此要接入小型散热器。 :
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　　本电路是175MHz VMOS场效晶体管谐振功放电路，该电路功率增益10dB，效率大于60%，可向负载提供10W功率。　　栅极采用并馈，漏极采用串馈。　　栅极采用C1、C2、C3、L1组成的T形匹配网络。　　漏极采用L2、L3、C
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　　通过PC声卡通常具有麦克风输入，扬声器输出，有时线路输入和输出。麦克风输入阻抗设计，只有在动态麦克风200至600欧姆范围。拉扎尔已适应声卡使用一个共同的驻极体传声器使用该电路。他提出了一个复合放大器使用
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一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路
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电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。　　一般可以使用在电源的正极串
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　电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。　　三极管是流控型器
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　　霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体
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一、为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？
　　【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需
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