肖特基二极管的作用

肖特基二极管的作用

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)

它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管(Schottky Diodes)

肖特基二极管金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和而降低开关速度。

肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）

是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。